氢还原法制备低相变温度掺钨VO<sub>2</sub>薄膜

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氢还原法制备低相变温度掺钨VO₂薄膜

李敏娇, 张述林, 丁秀敏, 罗祎, 熊苗

文章导航 > 钢铁钒钛 > 2010 > 31(2): 6-9

李敏娇, 张述林, 丁秀敏, 罗祎, 熊苗. 氢还原法制备低相变温度掺钨VO2薄膜[J]. 钢铁钒钛, 2010, 31(2): 6-9.

引用本文:

李敏娇, 张述林, 丁秀敏, 罗祎, 熊苗. 氢还原法制备低相变温度掺钨VO₂薄膜[J]. 钢铁钒钛, 2010, 31(2): 6-9.

Li Minjiao, Zhang Shulin, Ding Xiumin, Luo Yi, Xiong Miao. Preparation of Tungsten-doped VO2 Thin Film with Low Phase Transition Temperature by Hydrogen Reduction Method[J]. IRON STEEL VANADIUM TITANIUM, 2010, 31(2): 6-9.

Citation:

Li Minjiao, Zhang Shulin, Ding Xiumin, Luo Yi, Xiong Miao. Preparation of Tungsten-doped VO₂ Thin Film with Low Phase Transition Temperature by Hydrogen Reduction Method[J]. IRON STEEL VANADIUM TITANIUM, 2010, 31(2): 6-9.

李敏娇, 张述林, 丁秀敏, 罗祎, 熊苗. 氢还原法制备低相变温度掺钨VO2薄膜[J]. 钢铁钒钛, 2010, 31(2): 6-9.

引用本文:

李敏娇, 张述林, 丁秀敏, 罗祎, 熊苗. 氢还原法制备低相变温度掺钨VO₂薄膜[J]. 钢铁钒钛, 2010, 31(2): 6-9.

Li Minjiao, Zhang Shulin, Ding Xiumin, Luo Yi, Xiong Miao. Preparation of Tungsten-doped VO2 Thin Film with Low Phase Transition Temperature by Hydrogen Reduction Method[J]. IRON STEEL VANADIUM TITANIUM, 2010, 31(2): 6-9.

Citation:

Li Minjiao, Zhang Shulin, Ding Xiumin, Luo Yi, Xiong Miao. Preparation of Tungsten-doped VO₂ Thin Film with Low Phase Transition Temperature by Hydrogen Reduction Method[J]. IRON STEEL VANADIUM TITANIUM, 2010, 31(2): 6-9.

氢还原法制备低相变温度掺钨VO₂薄膜

1. 四川理工学院化学与制药工程学院, 四川自贡 643000;
2. 四川理工学院材料与化学工程学院, 四川自贡 643000

基金项目:

四川省教育厅重点科研项目（2006A167）。

作者简介:
李敏娇(1965-),女,江西泰和人,副教授,主要从事应用化学研究。

中图分类号: TB34
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出版历程
- 收稿日期: 2010-03-15
- 网络出版日期: 2023-12-05

Preparation of Tungsten-doped VO₂ Thin Film with Low Phase Transition Temperature by Hydrogen Reduction Method

1. College of Chemistry and Pharmaceutical Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, Sichuan, China;
2. College of Materials and Chemical Engineering, Sichuan University of Science and Engineering, Zigong 643000, Sichuan, China

摘要: 在钒溶胶中掺入适量聚钨酸溶胶，采用浸渍提拉法在载玻片上涂膜，涂片薄膜在氢气氛围中、在400℃温度下还原3 h，制得掺钨VO₂薄膜。金相显微镜观察到薄膜呈VO₂的特征绿色；X荧光光谱分析得出薄膜中W、V的含量分别为3.212%和64.97%。电阻-温度曲线测试表明，VO₂薄膜的相变温度为40.5℃，热滞回线宽度为ΔT=11℃，电阻突变量ΔS达到4.06个数量级。
- 二氧化钒 /
- 薄膜 /
- 相变温度 /
- 掺钨 /
- 氢还原
Abstract: V₂O₅ film was first fabricated by dipping a glass slide into a V₂O₅ gel containing a small quantity of polytungstate sol.Then the V₂O₅ film was reduced in hydrogen atmosphere at 400℃ for 3 h and then a tungsten-doped VO₂ thin film was prepared.The resulted film shows the characteristic green of VO₂.the content of W and V is 3.212% and 64.97%, respectively.The results of the curve of resistance-temperature show that the phase transition temperature of the VO₂ thin film is 40.5℃, the thermal hysteresis loop width is ΔT=11℃, amount of resistance mutation(ΔS) is 4.06 orders of magnitude.
- vanadium dioxide /
- thin film /
- phase transition temperature /
- tungsten-doped /
- hydrogen reduction

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